1 Comparison of optoelectrical characteristics between Schottky and Ohmic contacts to β-Ga2O3 thin fi..
来源：J PHYS D APPL PHYS( P 0022-3727 E 1361-6463 ) 发表时间: 2020/02
类型：期刊论文 为本人加分：4375.649847
贡献度：单独第一作者;共同通讯作者
2 A review of Ga2O3 deep-ultraviolet metal-semiconductor Schottky photodiodes
来源：J PHYS D APPL PHYS( P 0022-3727 E 1361-6463 ) 发表时间: 2023/03
类型：期刊论文 为本人加分：4136.424597
3 Band alignments of beta-Ga2O3 with MgO, Al2O3 and MgAl2O4 measured by x-ray photoelectron spectrosco..
来源：J PHYS D APPL PHYS( P 0022-3727 E 1361-6463 ) 发表时间: 2019/07
类型：期刊论文 为本人加分：3925.435227
贡献度：单独第一作者;单独通讯作者
4 A high-performance ultraviolet solar-blind photodetector based on a beta-Ga2O3 Schottky photodiode
来源：J MATER CHEM C( P 2050-7526 E 2050-7534 ) 发表时间: 2019/11
类型：期刊论文 为本人加分：3520.221142
贡献度：单独第一作者
5 Review of gallium oxide based field-effect transistors and Schottky barrier diodes
来源：CHINESE PHYS B( P 1674-1056 E 1741-4199 ) 发表时间: 2019/01
类型：期刊论文 为本人加分：3261.056051
贡献度：单独第一作者
6 Construction of a β-Ga2O3-based metal-oxide-semiconductor-structured photodiode for high-performanc..
来源：J MATER CHEM C( P 2050-7526 E 2050-7534 ) 发表时间: 2020/04
类型：期刊论文 为本人加分：2523.093772
贡献度：单独第一作者
7 Energy-band alignments at ZnO/Ga2O3 and Ta2O5/Ga2O3 heterointerfaces by X-ray photoelectron spectros..
来源：J APPL PHYS( P 0021-8979 E 1089-7550 ) 发表时间: 2019/07
类型：期刊论文 为本人加分：1722.735144
贡献度：单独第一作者
8 Fabrication of ε-Ga2O3 solar-blind photodetector with symmetric interdigital Schottky contacts resp..
来源：J PHYS D APPL PHYS( P 0022-3727 E 1361-6463 ) 发表时间: 2020/07
类型：期刊论文 为本人加分：1674.592397
贡献度：共同第一作者
9 Multifunctional polypyrrole and rose-like silver flower-decorated E-textile with outstanding pressur..
来源：CHEM ENG J( P 1385-8947 E 1873-3212 ) 发表时间: 2022/01
类型：期刊论文 为本人加分：1542.795896
10 16 x 4 Linear Solar-Blind UV Photoconductive Detector Array Based on β-Ga2O3 Film
来源：IEEE T ELECTRON DEV( P 0018-9383 E 1557-9646 ) 发表时间: 2021/07
类型：期刊论文 为本人加分：1507.921152
贡献度：共同第一作者;共同通讯作者