1. Shuji,Nakamura 美国 University of California-Santa Barbara 2003美国工程院院士;2014诺贝尔物理学奖 The micro-LED roadmap: status quo and prospects
2. Hiroshi,Amano 日本 Nagoya University 2014诺贝尔物理学奖;2016美国工程院院士 Photon extraction enhancement of praseodymium ions in gallium nitride nanopillars
3. Isamu,Akasaki 日本 Meijo University 2014诺贝尔物理学奖 Identification of multi-color emission from coaxial GaInN/GaN multiple-quantum-shell nanowire LEDs
4. Shuji,Nakamura 美国 University of California-Santa Barbara 2003美国工程院院士;2014诺贝尔物理学奖 Demonstration of high efficiency cascaded blue and green micro-light-emitting diodes with independen..
5. Hiroshi,Amano 日本 Nagoya University 2014诺贝尔物理学奖;2016美国工程院院士 Micro-Light Emitting Diode: From Chips to Applications
6. Hiroshi,Amano 日本 Nagoya University 2014诺贝尔物理学奖;2016美国工程院院士 Damage-Free Plasma Etching to Enhance Performance of AlGaInP-Based Micro-Light Emitting Diode
7. Hiroshi,Amano 日本 Nagoya University 2014诺贝尔物理学奖;2016美国工程院院士 The 2018 GaN power electronics roadmap
8. Shuji,Nakamura 美国 University of California-Santa Barbara 2003美国工程院院士;2014诺贝尔物理学奖 Micro-light-emitting diodes with III-nitride tunnel junction contacts grown by metalorganic chemical..
9. Isamu,Akasaki 日本 Meijo University 2014诺贝尔物理学奖 Relationship between lattice relaxation and electrical properties in polarization doping of graded A..
10. Hiroshi,Amano 日本 Nagoya University 2014诺贝尔物理学奖;2016美国工程院院士 Relationship between lattice relaxation and electrical properties in polarization doping of graded A..
11. 邓青云 中国 香港科技大学 2011沃尔夫化学奖;2006美国工程院院士 Organic color-conversion media for full-color micro-LED displays
12. Raj Reddy 美国 CARNEGIE MELLON UNIV 1994图灵奖;1984美国工程院院士 The 2018 GaN power electronics roadmap
13. 张荣 中国 厦门大学 2023中国科学院院士 Excellent electrostatic control and gate reliability for breakdown enhanced AlGaN/GaN HEMTs with ext..
14. 褚君浩 中国 华东师范大学 中国科学院院士 High performance few-layered h-BN-based MIS blocks by Fowler-Nordheim tunneling for infrared photode..
15. 刘纪美 中国 香港科技大学 2024美国工程院院士 GaAs Templates Selectively Grown on Silicon-on-Insulator for Lasers in Silicon Photonics
16. 刘纪美 中国 香港科技大学 2024美国工程院院士 Fully Vertical GaN-on-SiC p-i-n Diodes With BFOM of 2.89 GW/cm2
17. 刘纪美 中国 香港科技大学 2024美国工程院院士 Comparison of quantum well structures for room temperature continuous wave 980 nm lasers grown on (0..
18. 郝跃 中国 西安电子科技大学 中国科学院院士 Comprehensive Comparison of MOCVD- and LPCVD-SiNx Surface Passivation for AlGaN/GaN HEMTs..
19. 刘纪美 中国 香港科技大学 2024美国工程院院士 Monolithic full-color active-matrix micro-LED micro-display using InGaN/AlGaInP heterogeneous integr..
20. 郝跃 中国 西安电子科技大学 中国科学院院士 Novel GaN-based double-channel p-heterostructure field-effect transistors with a p-GaN insertion lay..