Author:
Афанас’єва Т.В.,Гринчук О.А.,Коваль І.П.,Находкін М.Г.
Abstract
За допомогою розрахунків з перших принципів перевірено можливість переходу одного атома кисню з місткового зв'язку між атомами аддимера та атомами другого приповерхневого шару в зв'язок між атомами другого та третього шарів поверхні GexSi1–x/Si(001) у випадку адсорбції одного, двох та трьох атомів кисню. Перехід кисню з місткового зв'язку між атомами аддимера та атомами другого приповерхневого шару у зв'язок між атомами другого та третього приповерхневого шарів енергетично невигідний, коли на поверхні GexSi1–x/Si(001) присутні чисті Si та змішані Si–Ge аддимери. У випадку, коли на поверхні GexSi1–x/Si(001) присутні чисті аддимери Ge, то можлива лише дифузія поодинокого атома кисню. Бар'єр для такої дифузії становить 2,09 еВ. Присутність чистих аддимерів Ge на поверхні GexSi1–x/Si(001) полегшує дифузію атома кисню в глибину більше, ніж присутність чистих Si або змішаних Si–Ge аддимерів.
Publisher
National Academy of Sciences of Ukraine (Co. LTD Ukrinformnauka) (Publications)
Subject
General Physics and Astronomy
Reference12 articles.
1. 1. T. Fukuda and T. Ogino. Surf. Sci. 380, 469 (1997).
2. 2. B.P. Uberuaga, M. Leskovar, A.P. Smith et al., Phys. Rev. B 84, 2441 (2000).
3. 3. H.J. Zandvliet, O. Gurlu, T.V. Afanasieva et al., J. Appl. Phys. 23, 1452 (2003).
4. 4. T. Fukuda, J. Appl. Phys. 38, 1450 (1999).
5. 5. I.P. Koval', Yu.A. Len', and M.G. Nakhodkin, Visn. Kyiv. Univ. 1, 275 (2006).