The effect of metal gate recess profile on FinFET performance
Author:
Publisher
SPIE
Reference10 articles.
1. FinFET device Capacitances: Impact of input transition time and output load
2. Measurement and Analysis of Parasitic Capacitance in FinFETs with High-k Dielectrics and Metal-Gate Stack
3. Nagy, Daniel, et al. “FinFET versus gate-all-around nanowire FET: performance, scaling, and variability.” IEEE Journal of the Electron Devices Society 6 (2018): 332–340.
4. Parasitic Resistance Reduction Strategies for Advanced CMOS FinFETs Beyond 7nm
5. Performance Optimization Study of FinFETs Considering Parasitic Capacitance and Resistance
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