Смачиваемость слоев черного кремния, сформированных различными методами
Author:
Айвазян Г. Е.1, Варданян А. А.1, Семченко А. В.2
Affiliation:
1. Национальный политехнический университет Армении, Ереван, Армения 2. Гомельский государственный университет имени Франциска Скорины, Гомель, Беларусь
Abstract
Исследована смачиваемость слоев черного кремния (b-Si), сформированных методами реактивного ионного травления, металл-стимулированного химического травления и лазерно-индуцированного травления. Определены краевые углы смачивания изготовленных образцов деионизованной водой, глицерином, дийодметаном и этиленгликолом. Показано, что поверхностная пленка окисла кремния и коэффициент увеличения площади слоев b-Si оказывают существенное влияние на их смачиваемость, варьируя от гидрофильных к гидрофобным свойствам.
Հետազոտվել է ռեակտիվ իոնային խածատման, մետաղով խթանմամբ քիմիական խածատման և լազերային խածատման մեթոդներով ձևավորված սև սիլիցիումի (b-Si) շերտերի թրջելիությունը: Գնահատվել են պատրաստված նմուշների դեիոնացված ջրով, գլիցերինով, դիյոդմեթանով և էթիլենգլիկոլով թրջման հպակային անկյունները: Ցույց է տրվել, որ սիլիցիումի օքսիդի մակերևութային թաղանթը և b-Si շերտերի մակերեսի մեծացման գործակիցը զգալի ազդեցություն ունեն թրջելիության վրա՝ ապահովելով հիդրոֆիլայինից մինչև հիդրոֆոբային հատկություններ:
The wettability of black silicon (b-Si) layers formed by reactive ion etching, metal-assisted chemical etching, and laser-induced etching has been studied. The wetting contact angles of the prepared samples with deionized water, glycerol, diiodomethane and ethylene glycol were determined. It has been shown that the silicon oxide surface film and the enlargement area factor of b-Si layers have a significant effect on their wettability, varying from hydrophilic to hydrophobic properties.
Publisher
National Academy of Sciences of the Republic of Armenia
Reference22 articles.
1. J. Soueiti, R. Sarieddine, H. Kadiri, A. Alhussein, G. Lerondel, R. Habchi. Nanoscale, 15, 4738 (2023). 2. X. Liu, B. Radfar, K. Chen, O.E. Setälä, T.P. Pasanen, M. Yli-Koski, H. Savin, V. Vähänissi. IEEE Trans. on Semicond. Manuf., 35, 504 (2022). 3. G. Ayvazyan, L. Hakhoyan, K. Ayvazyan, A. Semchenko. Phys. Status Solidi RRL, 17, 2300058 (2023). 4. G. Ayvazyan, L. Hakhoyan, K. Ayvazyan, A. Aghabekyan. Phys. Status Solidi A., 220, 2200793 (2023). 5. R.S. Davidsen, H. Li, A. To, X. Wang, A. Han, J. An, J. Colwell, C. Chan, A. Wenham, M.S. Schmidt, A. Boisen, O. Hansen, S. Wenham, A. Barnett. Sol. Energy Mat. Sol.Cells, 144, 740 (2016).
|
|