Отражающие свойства черного кремния в широком спектральном диапазоне

Abstract

Изучены структурные и отражающие свойства (полное отражение и рассеяние) слоев черного кремния, сформированных методом реактивного ионного травления. Определены спектры отражения в видимом, ближних инфракрасном и ультрафиолетовом диапазонах длин волн излучения. Исследовано влияние продолжительности травления на оптическое поведение слоев черного кремния и обсуждены возможности их применения в солнечных элементах и фотодетекторах. Հետազոտվել է ռեակտիվ իոնային խածատման մեթոդով ձևավորված սև սիլիցիումից շերտերի կառուցվածքային և անդրադարձման (ընդհանուր անդրադարձում և ցրում) հատկությունները: Անդրադարձման սպեկտրերը որոշվել են ճառագայթման ալիքի երկարությունների տեսանելի, ենթաինֆրակարմիր և ենթաուլտրամանուշակագույն տիրույթներում: Ուսումնասիրվել է խածատման տևողության ազդեցությունը սև սիլիցիումից շերտերի օպտիկական վարքագծի վրա և քննարկվել են դրանց կիրառման հնարավորությունները արևային էլեմենտներում և ֆոտոդետեկտորներում: The structural and reflective properties (total reflection and scattering) of black silicon layers formed by reactive ion etching have been studied. Reflection spectra were determined in the visible, near-infrared and near-ultraviolet wavelength ranges. The influence of etching duration on the optical behavior of black silicon layers is studied and the possibilities of their use in solar cells and photodetectors are discussed.