Road to Development of Piezoresistive Semiconductor Pressure Sensor

Author:

Sugiyama Susumu1

Affiliation:

1. Ritsumeikan University

Publisher

Institute of Electrical Engineers of Japan (IEE Japan)

Reference24 articles.

1. (1) C. S. Smith : “Piezoresistive effect in germanium and silicon”, Phys. Rev., Vol. 94, p. 42 (1954)

2. (2) 宮本藤雄・五十嵐伊勢美:「常温におけるGe結晶の弾性変形と伝導度変化」, 工学院大学研究報告, Vol. 3, pp. 1-5 (1956)

3. (3) 宮本藤雄・五十嵐伊勢美:「歪計素子, 実用新案」, 実願昭37-5602(出願日31.11.12)(1956)

4. (4) 知久健夫・五十嵐伊勢美:「半導体歪計素子による二、三の測定」, 自動車技術, Vol. 18, No. 9, pp. 706-711 (1964)

5. (5) 知久健夫・五十嵐伊勢美:「圧力変換器」, 特許公報昭42-8356, 特願昭39-55526 (1964)

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