Time evolution of surface species during the ALD of high-k oxide on InAs

Author:

D'Acunto GiulioORCID,Shayesteh Payam,Kokkonen EskoORCID,Boix de la Cruz VirginiaORCID,Rehman Foqia,Mosahebfard Zohreh,Lind ErikORCID,Schnadt Joachim,Timm RainerORCID

Funder

Formas

VINNOVA

Svenska Forskningsrådet Formas

Vetenskapsrådet

Publisher

Elsevier BV

Reference35 articles.

1. Appendix F properties of important semiconductors;Sze,2006

2. III-V compound semiconductor transistors - from planar to nanowire structures;Riel;MRS Bull.,2014

3. Surface defects and passivation of Ge and III-V interfaces;Houssa;MRS Bull.,2009

4. Ultrathin compound semiconductor on insulator layers for high-performance nanoscale transistors;Ko;Nature,2010

5. Understanding chemical and physical mechanisms in atomic layer deposition;Richey;J. Chem. Phys.,2020

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