Investigation of Helium-Induced lattice disorder in GaN and AlN under precisely localized irradiation

Author:

Li Qi,Yao Shaoshuai,Lin Xi,Xing YanORCID,Zhou Zaifa,Chai Qin

Funder

National Natural Science Foundation of China

Publisher

Elsevier BV

Reference48 articles.

1. Group III nitride nanomaterials for biosensing;Li;Nanoscale,2017

2. Group III-nitride based hetero and quantum structures;Monemar;Prog. Quantum Electron.,2000

3. III-Nitride nanowire optoelectronics;Zhao;Prog. Quantum Electron.,2015

4. Group III nitride and SiC based MEMS and NEMS: materials properties, technology and applications;Cimalla;J. Phys. D. Appl. Phys.,2007

5. Ion implantation into GaN;Kucheyev;Mater. Sci. Eng. R Reports.,2001

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