О природе туннельных состояний в аморфных тетраэдрических полупроводниках-Reference-Cited by-同舟云学术

О природе туннельных состояний в аморфных тетраэдрических полупроводниках

Published:1995 Issue: Volume: Page:
ISSN:
Container-title:
language:
Short-container-title:

Author:

Соловйов Володимир Миколайович

Abstract

Проведено компьютерное моделирование флуктуаций локальных атомных потенциалов в аморфных кремнии и германии. Показано, что типичные флуктуации структурных параметров этих материалов приводят к значительному смягчению квазиупругих констант. В возникающих при этом двухъямных потенциалах формируются двухуровневые системы, отвечающие туннельным состояниям. Обсуждаются некоторые следствия, вытекающие из полученных результатов. Проанализированы экспериментальные данные, указывающие на существование туннельных состояний в аморфных тетраэдрических полупроводниках.

Publisher

ФТИ им. А.Ф.Иоффе

Reference16 articles.

1. [1] Физика гидрогенизированного аморфного кремния, под ред. Дж. Джоунопулоса, Дж. Люковски (М., Мир, 1987) ч. 1, с. 368, ч. 2, с. 448.

2. [2] W.D. Luedke, U. Landman. Phys. Rev. В, 40, 1164 (1989).

3. [3] W.. Phillips. Rep. Prog. Phys., 50, 1657 (1987).

4. [4] В.Г. Карпов, М.И. Клингер, Ф.Н. Игнатьев. ЖЭТФ, 84, 761 (1983).

5. [5] Ю.М. Гальперин, В.Г. Карпов, В.Н. Соловьев. ЖЭТФ, 94, 373 (1988).

Cited by 1 articles. 订阅此论文施引文献订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献

1. Расчет однородного уширения бесфононных линий в примесных спектрах аморфных веществ;1999