Abstract
Точное измерение сил обменного (межспинового) взаимодействия между магнитными ионами
имеет первостепенное значение для физики магнитосмешанных (полумагнитных, или разбавленных
магнитных) полупроводников. Во-первых, межспиновые взаимодействия начинают оказывать
влияние на магнитную восприимчивость, спиновую динамику, теплоперенос в этих системах уже
начиная с малых концентраций магнитной компоненты ( x 001.0 ), то есть актуальны почти всегда.
Во-вторых, при моделировании свойств – особенно для небольших концентраций - важны не только
взаимодействия с ближайшим «магнитным» соседом, но и более слабые взаимодействия со вторыми,
третьими и т.д. соседями. Закон ослабления
взаимодействия с расстоянием между спинами позволяет
также судить о фундаментальной природе (механизме)
обменного взаимодействия. Поэтому исследователи вот
уже около 40 лет изыскивают различные способы
измерить обменные константы. Особенно в дефиците
методы, дающие информацию селективно по различным
типам локальной координации ионов. В результате
имеющиеся данные по вторым и т.д. соседям весьма
противоречивы.
В настоящем исследовании показано [1,2], что
селективная информация по первым нескольким сортам
пар магнитных ионов может быть получена методом
резонансного комбинационного рассеяния света (КРС).
Достигнув в несколько раз более высокого спектрального
разрешения, чем наши предшественники, мы обнаружили
(в экспериментах по множественному рамановскому
парамагнитному резонансу в квантовых ямах СdTe:Mn) десятки не известных ранее слабых линий
КРС. Классификация этого многообразия позволила с беспрецедентной точностью ( 05.0 К)
определить четыре различные характерные энергии, отвечающие четырем типам соседства
магнитных ионов: 22.5 J )1( K, 51.1 J )2( K, 16.1 J )3( K, (4) J 0.70 K. Для решения вопроса о
влиянии деформации эпитаксиальной структуры на величины обменных констант мы планируем
осуществить особое исследование. Тем не менее, очевиден методический потенциал полученного
результата, в том числе применительно к другим семействам магнитосмешанных полупроводников,
где также наблюдается рамановский парамагнитный резонанс.
Publisher
Rzhanov Institute Semiconductor Physics SB RAS