Fast Prediction of Jte Breakdown Performance in Sic Power Device Using Tcad Augmented Machine Learning

Author:

lin lan,zhang lin,wang xiuku,hu jian,zhang ying

Publisher

Elsevier BV

Reference32 articles.

1. Review of silicon carbide power devices and their applications[J];X She;IEEE Transactions on Industrial Electronics,2017

2. Influence of carrier lifetime on silicon carbide power devices for pulsed power application;K Zhou;st International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD),2019

3. Ultrahigh-voltage SiC pin diodes with improved forward characteristics[J];N Kaji;IEEE Transactions on Electron Devices,2014

4. Fabrication of a 4H-SiC pin Diode Array for High Energy Particle Detection[J];L Zhang;IEEE Transactions on Nuclear Science,2022

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