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Development of P-N Junction by Tellurium Implantation Ongasb-Vds- Substrate

  • Published:2023 Issue: Volume: Page:
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Author:

GUPTA ANSHUL,Deshpande Manisha,GADKARI D. B.,K Devrani,Maske Dilip

Publisher

Elsevier BV

Reference11 articles.

1. The physics and technology of gallium antimonide: An emerging optoelectronic material

2. Gallium Antimonide (GaSb);S Adachi;Optical Constants of Crystalline and Amorphous Semiconductors,1999
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