Fundamental Electron Interactions with Plasma Processing Gases
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Springer US
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http://link.springer.com/content/pdf/10.1007/978-1-4419-8971-0.pdf
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1. PLASMA PARAMETRS AND SILICON ETCHING KINETICS IN CF4 + C4F8 + O2 MIXTURE: EFFECT OF CF4/C4F8 MIXING RATIO;ChemChemTech;2024-05-04
2. Observation of strong wavelength-shifting in the argon-tetrafluoromethane system;Frontiers in Detector Science and Technology;2023-12-22
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4. Noble gas effect on ACL etching selectivity to SiO2 films;Plasma Processes and Polymers;2023-06-08
5. Параметры газовой фазы и кинетика реактивно-ионного травления SiO<sub>2</sub> в плазме CF<sub>4</sub>/C<sub>4</sub>F<sub>8</sub>/Ar/He;Микроэлектроника;2023-01-01
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